Transistor IRF222 MOSFET 200V 4A Canal N TO-3

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O Transistor MOSFET de potência de Canal N IRF222 TO-3, é ideal para aplicações de chaveamento e controle de potência. Seu encapsulamento, também identificado em documentação técnica como TO-204AA / TO-204AE, serve para proteger aplicações nas quais dissipação térmica e montagem em dissipador fazem parte do projeto, garantindo operação estável e duradoura.

Informações Técnicas:

• Tipo: Transistor MOSFET de potência
• Encapsulamento: TO-3 Metálico
• Canal: N
• Tensão dreno-source (VDS): 200V
• Corrente de dreno: até 4A
• Aplicação: Chaveamento e controle de potência.

Compatível para uso em:

• Fontes de alimentação chaveadas;
• Drivers de relés;
• Controle e acionamento de motores;
• Reguladores chaveados;
• Conversores de potência;
• Equipamentos industriais que originalmente utilizem o IRF222.

O que está incluso:
01 Transistor MOSFET IRF222 4A 200V

O Transistor IRF222 é ideal para engenheiros e técnicos que buscam otimização e performance em seus equipamentos eletrônicos.

Verifique a compatibilidade antes da substituição:
IRF222 não é IRFR222, não trate códigos semelhantes como equivalentes. Antes de substituir um transistor pelo IRF150, confirme: Código completo do componente; Encapsulamento TO-3; Tensão dreno-source (VDS); Corrente de dreno; Características de chaveamento; Dissipação térmica; Área segura de operação; Requisitos elétricos do circuito. Dois transistores em TO-3 com tensão ou corrente semelhantes não são necessariamente substitutos diretos.

Garantia: 3 meses contra defeitos de fabricação. A garantia cobre defeitos de fabricação do produto. Não representa garantia de autonomia ou vida útil do componente eletrônico, pois sua durabilidade pode variar conforme o equipamento, consumo, condições de armazenamento, instalação e ambiente de utilização.